Szilícium-karbid

Zhen An: Vezető szilícium-karbid gyártás Kínában

ZhenAn International Co., Limited. Anyang városában, Kínában található, és több mint 30 éves tapasztalattal és technológiai felhalmozással rendelkezik a kohászati ​​iparban.

 

Jelenleg a Zhenan teljesen automatikus és intelligens gyártósorokat üzemeltet kohászati ​​és fémanyagokhoz, stabil éves kibocsátással és 150 000 tonna értékesítési volumennel.

 

Üzemünk körülbelül 30 000 négyzetméteren terül el, és támogatja a stabil és nagyszabású-termelést.

 

Minőségbiztosítás
Minőségellenőreink szigorúan ellenőrzik az egyes linkek minőségét annak biztosítása érdekében, hogy minden egyes tétel megfeleljen a nemzetközi szabványoknak.

 

Jó szolgáltatás
A Zhenan kiváló és professzionális csapata kiváló{0}}minőségű kohászati ​​termékekkel és szolgáltatásokkal dolgozik.

 

Testreszabás
A vevői igényeknek megfelelően személyre szabott kohászati ​​anyagtermékeket is biztosítunk speciális specifikációkkal, formákkal és anyagokkal.

 

Gyors Szállítás
Hatalmas gyártókapacitással biztosítjuk az első alkalommal időben történő szállítást és a célállomásra történő szállítást.

 

Alkalmazások széles skálája
A ZhenAn kohászati ​​anyagokat széles körben használják öntés, acélgyártás, elektromosság, nem-vasfémek, petrolkémia, üveg, építőanyagok és más területeken, és a világ több mint 80 országába és régiójába exportálják.

A szilícium-karbid bemutatása

 

 

A szilícium-karbid, más néven SiC, egy félvezető alapanyag, amely tiszta szilíciumból és tiszta szénből áll. A SiC-t nitrogénnel vagy foszforral adalékolhatja, hogy n- típusú félvezetőt hozzon létre, vagy berilliummal, bórral, alumíniummal vagy galliummal adalékolhatja, hogy ap- típusú félvezetőt hozzon létre. Míg a szilícium-karbidnak számos fajtája és tisztasága létezik, a félvezető -minőségű szilícium-karbid csak az elmúlt néhány évtizedben került felhasználásra.

A szilícium-karbid tulajdonságai

 

Robusztus kristályszerkezet
A szilícium-karbid könnyű elemekből, szilíciumból (Si) és szénből (C) áll. Alapvető építőeleme egy négy szénatomból álló kristály, amely egy tetraédert alkot, amely kovalensen kötődik egyetlen szilíciumatomhoz a központban. A SiC polimorfizmust is mutat, mivel különböző fázisokban és kristályszerkezetekben létezik

 

Magas Keménység
A szilícium-karbid Mohs-keménysége 9, így a bór-karbid (9,5) és a gyémánt (10) mellett a legkeményebb elérhető anyag. Ez a látszólagos tulajdonság teszi a SiC-t kiváló anyagválasztássá mechanikus tömítések, csapágyak és vágószerszámok számára.

 

Magas{0}}hőmérséklet-ellenállás
A szilícium-karbid magas hőmérséklettel és hősokkkal szembeni ellenállása az a tulajdonság, amely lehetővé teszi a SiC használatát tűzálló téglák és más tűzálló anyagok gyártásához. A szilícium-karbid bomlása 2000 fokon kezdődik

 

Vezetőképesség
Ha a szilícium-karbidot tisztítják, akkor viselkedése az elektromos szigetelőkéé. A szennyeződések szabályozásával azonban a szilícium-karbidok a félvezető elektromos tulajdonságait mutathatják. Például, ha különböző mennyiségű alumíniumot adalékolással viszünk be, ap-típusú félvezetőt kapunk. Az ipari -minőségű SiC tipikusan körülbelül 98-99,5%-os tisztaságú. A gyakori szennyeződések az alumínium, a vas, az oxigén és a szabad szén

 

Kémiai stabilitás
A szilícium-karbid stabil és kémiailag inert anyag, amely még akkor is nagy korrózióállósággal rendelkezik, ha savakban (sósav, kénsav vagy hidrogén-fluorid) vagy bázisokban (tömény nátrium-hidroxidok) forraljuk vagy forraljuk. Azt találták, hogy klórban reagál, de csak 900 fokos és magasabb hőmérsékleten. A szilícium-karbid oxidációs reakciót indít el a levegőben, amikor a hőmérséklet körülbelül 850 fok, és SiO2 képződik

A szilícium-karbid előnyei
碳化硅
黑碳化硅微粉
碳化硅98
绿碳化硅粉12#-90#

Magasabb hőmérsékleti képesség:A SiC sokkal magasabb hőmérsékleten tud működni, mint a szilícium, gyakran akár 400 °C-ig és potenciálisan akár 800 °C-ig is, ami hatékonyabb elektronikus eszközöket tesz lehetővé, amelyek képesek kezelni az extrém körülményeket anélkül, hogy jelentős teljesítménycsökkenést szenvedne. Ez a lenyűgöző képesség a SiC magas hővezető képességének és a töltéshordozók alacsony belső koncentrációjának köszönhető. A magas hővezető képesség azt jelenti, hogy egy SiC tranzisztor sokkal kisebb hűtőbordát tud használni, mint egy ezzel egyenértékű szilícium chip, vagy hasonló hűtőbordát használhat, és sokkal több hőt tolerál. A töltéshordozók alacsony koncentrációja szobahőmérsékleten azt jelenti, hogy a SiC nagyobb elektromos terhelést tud elviselni, mielőtt a termikusan felszabaduló elektronok hozzáadódnak a belső töltéshordozókhoz, elárasztják a tranzisztort, és bezárják azt „be” állásba (vezető állapotba).

 

Magasabb áttörési feszültség:A SiC áttörési feszültsége nagyjából nyolcszor nagyobb, mint a szilíciumé (~300 kV/cm versus 2400 kV/cm), ami azt jelenti, hogy képes ellenállni a nagyobb feszültségeknek, mielőtt kiszámíthatatlan vezetési viselkedést és potenciálisan katasztrofális meghibásodást tapasztalna.

 

Kisebb alaktényező:Ez az előny a SiC nagyobb áttörési feszültségéből és hővezető képességéből következik a szilíciumhoz képest. Ha egy szilícium- és egy szilícium-karbid-tranzisztort úgy terveztek volna, hogy ugyanazon áttörési feszültségig ellenálljanak, a hagyományos szilícium tranzisztornak sokkal nagyobbnak kellene lennie, mint a SiC tranzisztornak. A kisebb SiC tranzisztornak akár 0,25-0,5%-a is lehet "bekapcsolt" ellenállása, mint a nagyobb szilícium tranzisztornak. Ez a tulajdonság hatékonyabb és kompaktabb teljesítményelektronikai rendszerek tervezését teszi lehetővé kisebb teljesítményveszteséggel.

 

Magasabb kapcsolási frekvenciák:A SiC tranzisztorok kisebb alaktényezője és az ebből következő magasabb kapcsolási frekvencia lehetővé teszi a könnyebb súlyú és olcsóbb induktorok és kondenzátorok tervezését olyan teljesítmény-átalakítókban, mint amilyenek az elektromos akkumulátorok töltésére szolgálnak.

Hogyan készül a szilícium-karbid?
 

A legegyszerűbb szilícium-karbid gyártási módszer magában foglalja a szilícium-dioxid homokot és a szenet, például a szenet, magas hőmérsékleten, akár 2500 Celsius fokon. A szilícium-karbid sötétebb, gyakoribb változatai gyakran tartalmaznak vas- és szénszennyeződéseket, de a tiszta SiC-kristályok színtelenek, és akkor keletkeznek, amikor a szilícium-karbid 2700 Celsius-fokon szublimál. Hevítés után ezek a kristályok lerakódnak a grafitra hidegebb hőmérsékleten a Lely-módszerként ismert eljárás során.

Lely módszer

A folyamat során egy gránittégely nagyon magas hőmérsékletre melegszik fel, általában indukcióval, hogy szublimáljon szilícium-karbid port. Egy alacsonyabb hőmérsékletű grafitrúd szuszpendálódik a gázelegyben, ami eleve lehetővé teszi a tiszta szilícium-karbid lerakódását és kristályok képződését.

Kémiai gőzlerakódás

Alternatív megoldásként a gyártók köbös SiC-t termesztenek kémiai gőzleválasztással, amelyet általában szén-alapú szintézis folyamatokban használnak, és a félvezetőiparban használnak. Ennél a módszernél a gázok speciális kémiai keveréke vákuumkörnyezetbe kerül, és egyesül, mielőtt egy hordozóra kerül.
A szilícium-karbid lapkagyártás mindkét módszere hatalmas mennyiségű energiát, felszerelést és tudást igényel a sikerhez.

Mik a szilícium-karbid felhasználási területei?
 

Katonai golyóálló páncélban használt szilícium-karbid
A szilícium-karbidot golyóálló páncélzat gyártására használják. Ennek a vegyületnek az a tulajdonsága, amely miatt ilyen célra alkalmazható, a keménysége. A golyóknak és más káros tárgyaknak meg kell küzdeniük a szilícium-karbid által alkotott kemény kerámiatömbökkel. A golyók nem tudnak áthatolni a kerámiatömbökön.

 

Félvezetőkben használt szilícium-karbid
A szilícium-karbid félvezetővé válik, ha adalékanyagokat adnak hozzá. A szilícium-karbidhoz hozzáadott adalékanyagok, például bór és alumínium ap{1}}típusú félvezetővé teszik. Másrészt a szilícium-karbidhoz hozzáadott adalékanyagok, például nitrogén és foszfor n- típusú félvezetővé teszik.

 

Csiszolóanyagokban használt szilícium-karbid
A szilícium-karbidot általában csiszolóanyagként használják keménysége miatt. Köszörűkorongok, vágószerszámok és csiszolópapír gyártásához használják. A szilícium-karbid csiszolóanyagok általában olcsóbbak, mint más hasonló minőségű csiszolóanyagok. A csiszolóanyagokat olyan anyagok csiszolására használják, mint acél, alumínium, öntöttvas és gumi.

 

Elektromos járművekben használt szilícium-karbid
A szilícium-karbid jobb választás a szilíciummal szemben elektromos járművek meghajtására. A szilícium-karbiddal hajtott elektromos járművek rendkívül hatékonyak és költséghatékonyak{1}}.

 

Ékszerben használt szilícium-karbid
Szerkezetileg a gyémánthoz hasonló, mégis fényesebb, olcsóbb, tartósabb és könnyebb, mint a gyémánt, a szilícium-karbid a gyémánt megérdemelt alternatívája-az ékszeriparban.

 

Üzemanyagban használt szilícium-karbid
Egyéb felhasználási területein kívül a szilícium-karbidot üzemanyagként használják. Az acélgyártásban üzemanyagként használják, és tisztább acélt állít elő, mint a legtöbb más tüzelőanyag. Olcsóbb és környezetbarátabb-üzemanyag is.

 

LED-ekben használt szilícium-karbid
Az első{0}}fénykibocsátó diódák (LED-ek) szilícium-karbid technológiát alkalmaztak. Kék, piros és sárga LED-ek gyártására használták. A LED-eket televíziókban, kijelzőtáblákban és számítógépekben használják.

Tanúsítványok

 

productcate-1-1
productcate-1-1
productcate-1-1
productcate-1-1
productcate-1-1
productcate-1-1
productcate-1-1
 
 
A szilícium-karbid gyakori problémái
 

K: Melyek a SiC alkalmazásai az elektronikus eszközökben?

V: A szilícium-karbid egy félvezető, amely tökéletesen alkalmas az energiaellátásra, mindenekelőtt annak köszönhetően, hogy ellenáll a magas feszültségeknek, akár tízszer nagyobb, mint a szilíciummal használhatók. A szilícium-karbid alapú félvezetők nagyobb hővezető képességet, nagyobb elektronmobilitást és kisebb teljesítményveszteséget kínálnak. A SiC diódák és tranzisztorok magasabb frekvencián és hőmérsékleten is működhetnek a megbízhatóság veszélyeztetése nélkül. A SiC eszközök, például a Schottky-diódák és a FET/MOSFET tranzisztorok fő alkalmazásai közé tartoznak az átalakítók, inverterek, tápegységek, akkumulátortöltők és motorvezérlő rendszerek.

K: Miért győzi le a SiC az SiC-t az energiaellátó alkalmazásokban?

V: Annak ellenére, hogy a szilícium a legszélesebb körben használt félvezető az elektronikában, a szilícium néhány korlátot mutat, különösen a nagy teljesítményű{0}}alkalmazásokban. Ezekben az alkalmazásokban lényeges tényező a félvezető által kínált sávszélesség vagy energiarés. Ha a sávszélesség nagy, az általa használt elektronika kisebb, gyorsabb és megbízhatóbb lehet. Magasabb hőmérsékleten, feszültségen és frekvencián is tud működni, mint más félvezetők. Míg a szilícium sávszélessége körülbelül 1,12 eV, addig a szilícium-karbid közel háromszor nagyobb értéke, körülbelül 3,26 eV.

K: Milyen szennyeződéseket használnak a szilícium-karbid anyagok adalékolásához?

V: A szilícium-karbid tiszta formájában elektromos szigetelőként viselkedik. Szennyeződések vagy adalékanyagok szabályozott hozzáadásával a SiC félvezetőként viselkedhet. AP- típusú félvezető nyerhető alumíniummal, bórral vagy galliummal adalékolással, míg a nitrogén- és foszforszennyeződések N- típusú félvezetőt eredményeznek. A szilícium-karbid bizonyos körülmények között képes elektromos áramot vezetni, másokban viszont nem, olyan tényezők alapján, mint az infravörös sugárzás feszültsége vagy intenzitása, a látható fény és az ultraibolya sugárzás. Más anyagoktól eltérően a szilícium-karbid széles tartományban képes szabályozni az eszközgyártáshoz szükséges P- és N- típusú régiókat. Ezen okok miatt a SiC egy olyan anyag, amely alkalmas erősáramú eszközökhöz, és képes leküzdeni a szilícium által kínált korlátokat.

K: Hogyan érhetnek el a SiC félvezetők jobb hőkezelést, mint a szilícium?

V: Egy másik fontos paraméter a hővezető képesség, amely annak mutatója, hogy a félvezető hogyan képes elvezetni az általa termelt hőt. Ha egy félvezető nem képes hatékonyan elvezetni a hőt, akkor korlátozást vezetnek be az eszköz által elviselhető maximális üzemi feszültségre és hőmérsékletre vonatkozóan. Ez egy másik terület, ahol a szilícium-karbid felülmúlja a szilíciumot: a szilícium-karbid hővezető képessége 1490 W/m-K, szemben a szilícium által kínált 150 W/m-K-val.

K: Mik a szilícium-karbid nyersanyagai?

V: A fő nyersanyagok a SiO2 és a C, amelyek magas hőmérsékleten reagálnak. Fűrészpor és só (néha) is hozzáadásra kerül, így a fűrészpor megég, és pórusokat képez, megkönnyítve a fejlődő gázok távozását (magas hőmérsékleten). Az égetést körülbelül 40 órán keresztül végezzük, majd lehűlés után az oldalfalakat eltávolítjuk.

K: Hogyan juthat szilícium-karbidhoz?

V: A szilícium-karbidot általában az Acheson eljárással állítják elő, amely magában foglalja a szilícium-dioxid homokot és a szenet magas hőmérsékletre hevítve egy Acheson grafitálló kemencében. Kialakítható finom porként vagy kötött masszaként, amelyet össze kell törni és őrölni, mielőtt por alapanyagként használható fel.

K: Nehéz előállítani a szilícium-karbidot?

V: A szilícium-karbid előállításának legegyszerűbb eljárása a szilícium-dioxid homok és a szén egyesítése egy Acheson grafit elektromos ellenálláskemencében, magas hőmérsékleten, 1600 és 2500 fok között.

K: Melyek a szilícium-karbid legfontosabb felhasználási területei?

V: A szilícium-karbid egy nagyon népszerű csiszolóanyag a modern lapidáriumban, a tartóssága és az anyag viszonylag alacsony költsége miatt. Ezért kulcsfontosságú a művészeti ipar számára. A feldolgozóiparban ezt a vegyületet keménysége miatt számos csiszoló megmunkálási folyamatban használják, mint például a hónolás, köszörülés, vízsugaras vágás és homokfúvás.

K: A szilícium-karbid vízben oldódik?

V: A szilícium-karbid vízben oldhatatlan. Azonban oldódik olvadt lúgokban (például NaOH és KOH), valamint olvadt vasban is. A szilícium-karbid szerves szilíciumvegyületnek tekinthető.

K: Vezethet-e a szilícium-karbid az áramot?

V: Igen, de bizonyos feltételek mellett.
A szilícium-karbid tiszta formájában elektromos szigetelőként viselkedik. Azonban a szennyeződések vagy adalékanyagok szabályozott hozzáadásával, és mivel a SiC rendelkezik a szükséges ellenállással, kifejezheti a félvezető tulajdonságait; más szavakkal, félvezetőként nem engedi meg a szabad-áramot, és nem is taszítja azt teljesen.

K: Honnan szerzünk szilícium-karbidot?

V: A szilícium-karbid (SiC) vagy karborundum egy szintetikus csiszolóanyag, amelyet jó -minőségű szilícium-dioxid-homok és finomra őrölt szén (kőolajkoksz) fúziójával állítanak elő elektromos kemencében, magas hőmérsékleten (1600–2500 fok).

K: A szilícium-karbid erősebb, mint a gyémánt?

V: A szilícium-karbid kemény, Mohs-keménysége 9,5, ami a második a világ legkeményebb gyémántja után. Ezenkívül a szilícium-karbid kiváló hővezető képességgel rendelkezik. Ez egyfajta félvezető, és ellenáll az oxidációnak magas hőmérsékleten.

K: Mivel reagál a szilícium-karbid?

V: A szilícium-karbamidot szén- és/vagy szilíciumporral keverhetjük össze, formázhatjuk, majd magas hőmérsékleten reagáltathatjuk önkötődéshez (a Si+C SiC-t képez a szemcsék megkötéséhez), nitridkötést (a szilícium N2-vel reagálva Si3N4-et képez) vagy szilíciumkötésű (szilícium-karbamidot).

K: Melyek a különböző típusú SiC kristályok?

V: A SiC kristályszerkezete köbös, hatszögletű és romboéderes. A SiC-re használt jelölési rendszer jelzi az atomi halmozási szekvencia rétegeinek számát és a politípus kristályszerkezetét jelző betűt (C a köbös, H a hatszögletű és R a romboéder).

K: Mi a különbség az alfa és a béta szilícium-karbid között?

V: Ami megkülönbözteti a szilícium-karbid két formáját, az a mikrokristályos szerkezet. Míg a béta-szilícium-karbid köbös mikrokristályos szerkezetű, az alfa-kristályos-karbid gömb alakú mikrokristályos szerkezetű.
Professzionális szilícium-karbid gyártók és beszállítók vagyunk Kínában, magas színvonalú, testreszabott szolgáltatás nyújtására szakosodva. Szeretettel üdvözöljük, hogy ömlesztett szilícium-karbidot vásároljon vagy nagykereskedjen itt gyárunkból. Árkonzultációért vegye fel velünk a kapcsolatot. Vas szilícium brikett 65 perc, Sic kis brikettek, Sic brikett

Haza

Telefon

E-mailben

Vizsgálat